產品列表PRODUCTS LIST
更新時間:2020-09-02
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JK-120KV/2mA直流高壓發(fā)生器采用中頻倍壓電路,*應用新的PWM中頻脈寬調制技術,閉環(huán)調整,采用了電壓大反饋,使電壓穩(wěn)定度大幅度提高。使用性能的大功率IGBT器件及其驅動技術,并根據電磁兼容性理論,采用特殊屏蔽、隔離和接地等措施。
更新時間:2020-09-02
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YCDL-60KV/2MA直流高壓發(fā)生器采用中頻倍壓電路,*應用新的PWM中頻脈寬調制技術,閉環(huán)調整,采用了電壓大反饋,使電壓穩(wěn)定度大幅度提高。使用性能的大功率IGBT器件及其驅動技術,并根據電磁兼容性理論,采用特殊屏蔽、隔離和接地等措施。
更新時間:2020-09-02
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YCDL-120KV/2MA直流高壓發(fā)生器采用中頻倍壓電路,*應用新的PWM中頻脈寬調制技術,閉環(huán)調整,采用了電壓大反饋,使電壓穩(wěn)定度大幅度提高。使用性能的大功率IGBT器件及其驅動技術,并根據電磁兼容性理論,采用特殊屏蔽、隔離和接地等措施。
更新時間:2020-09-02
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LBZGF400KV/2mA分體式直流高壓發(fā)生器采用中頻倍壓電路,*應用新的PWM中頻脈寬調制技術,閉環(huán)調整,采用了電壓大反饋,使電壓穩(wěn)定度大幅度提高。使用性能的大功率IGBT器件及其驅動技術,并根據電磁兼容性理論,采用特殊屏蔽、隔離和接地等措施。
更新時間:2020-09-02
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LBZGF300KV/2mA直流高壓發(fā)生器分體式采用中頻倍壓電路,*應用新的PWM中頻脈寬調制技術,閉環(huán)調整,采用了電壓大反饋,使電壓穩(wěn)定度大幅度提高。使用性能的大功率IGBT器件及其驅動技術,并根據電磁兼容性理論,采用特殊屏蔽、隔離和接地等措施。
更新時間:2020-09-02
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LBZGF200KV/5mA直流高壓發(fā)生器分體式采用中頻倍壓電路,*應用新的PWM中頻脈寬調制技術,閉環(huán)調整,采用了電壓大反饋,使電壓穩(wěn)定度大幅度提高。使用性能的大功率IGBT器件及其驅動技術,并根據電磁兼容性理論,采用特殊屏蔽、隔離和接地等措施。
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LBZGF300KV/5mA直流高壓發(fā)生器分體式采用中頻倍壓電路,*應用新的PWM中頻脈寬調制技術,閉環(huán)調整,采用了電壓大反饋,使電壓穩(wěn)定度大幅度提高。使用性能的大功率IGBT器件及其驅動技術,并根據電磁兼容性理論,采用特殊屏蔽、隔離和接地等措施。
更新時間:2020-09-02
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LBZGF200KV/3mA直流高壓發(fā)生器分體式采用中頻倍壓電路,*應用新的PWM中頻脈寬調制技術,閉環(huán)調整,采用了電壓大反饋,使電壓穩(wěn)定度大幅度提高。使用性能的大功率IGBT器件及其驅動技術,并根據電磁兼容性理論,采用特殊屏蔽、隔離和接地等措施。